Detalles de la búsqueda
1.
Optically pumped lasing at 3 µm from compositionally graded GeSn with tin up to 22.3.
Opt Lett
; 43(19): 4558-4561, 2018 Oct 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30272682
2.
Study of a SiGeSn/GeSn/SiGeSn structure toward direct bandgap type-I quantum well for all group-IV optoelectronics.
Opt Lett
; 42(3): 387-390, 2017 Feb 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28146483
3.
Temperature dependent spectral response and detectivity of GeSn photoconductors on silicon for short wave infrared detection.
Opt Express
; 22(13): 15639-52, 2014 Jun 30.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24977823
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