Detalles de la búsqueda
1.
Reduction of random telegraph noise by high-pressure deuterium annealing for p-type omega-gate nanowire FET.
Nanotechnology
; 31(41): 415201, 2020 Oct 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32559755
2.
Bottom-up fabrication of InAs-on-nothing MOSFET using selective area molecular beam epitaxy.
Nanotechnology
; 30(3): 035301, 2019 Jan 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30452388
3.
Nanodevices Tend to Be Round.
Micromachines (Basel)
; 12(3)2021 Mar 20.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33804779
4.
Improvement of AlN Film Quality Using Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition with Substrate Biasing.
ACS Appl Mater Interfaces
; 12(35): 39870-39880, 2020 Sep 02.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32805854
5.
Analytic model for low-frequency noise in nanorod devices.
J Nanosci Nanotechnol
; 8(10): 5257-60, 2008 Oct.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-19198433
6.
Effect of rapid thermal annealing on the electrical properties of GaAs Schottky diodes embedded with self-assembled InAs quantum dots.
J Nanosci Nanotechnol
; 8(10): 5558-60, 2008 Oct.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-19198498
7.
Exploring the Charge Transport in Conjugated Polymers.
Adv Mater
; 29(41)2017 Nov.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-28846169
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