Detalles de la búsqueda
1.
High mobility WSe2 p- and n-type field-effect transistors contacted by highly doped graphene for low-resistance contacts.
Nano Lett
; 14(6): 3594-601, 2014 Jun 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24844426
2.
Mobility improvement and temperature dependence in MoSe2 field-effect transistors on parylene-C substrate.
ACS Nano
; 8(5): 5079-88, 2014 May 27.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24730685
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