Detalles de la búsqueda
1.
Demonstrating Pressure Jumping as a Tool to Address the Pressure Gap in High Pressure Photoelectron Spectroscopy of CO and CO2 Hydrogenation on Rh(211).
Chemphyschem
; 25(1): e202300523, 2024 Jan 02.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37877432
2.
From antiferromagnetic and hidden order to Pauli paramagnetism in UM 2Si2 compounds with 5f electron duality.
Proc Natl Acad Sci U S A
; 117(48): 30220-30227, 2020 Dec 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33203673
3.
Quantum fluctuations lead to glassy electron dynamics in the good metal regime of electron doped KTaO3.
Nat Commun
; 15(1): 3830, 2024 May 07.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38714672
4.
Adsorption and Inactivation of SARS-CoV-2 on the Surface of Anatase TiO2(101).
ACS Appl Mater Interfaces
; 15(6): 8770-8782, 2023 Feb 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36723177
5.
Modulation-doping a correlated electron insulator.
Nat Commun
; 14(1): 6210, 2023 Oct 05.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37798279
6.
Real-Time Monitoring the Growth of Epitaxial CoxFe3-xO4 Ultrathin Films on Nb-Doped SrTiO3(001) via Reactive Molecular Beam Epitaxy by Means of Operando HAXPES.
Materials (Basel)
; 15(7)2022 Mar 23.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35407710
7.
Electronic structure and low-temperature thermoelectric transport of TiCoSb single crystals.
Nanoscale
; 14(28): 10067-10074, 2022 Jul 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35791918
8.
Magnetic and Electronic Properties of Weyl Semimetal Co2MnGa Thin Films.
Nanomaterials (Basel)
; 11(1)2021 Jan 19.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33477868
9.
Polarization-dependent electric potential distribution across nanoscale ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 in functional memory capacitors.
Nanoscale
; 11(42): 19814-19822, 2019 Nov 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31624822
10.
Tunable Magnetic Phases at Fe3O4/SrTiO3 Oxide Interfaces.
ACS Appl Mater Interfaces
; 11(7): 7576-7583, 2019 Feb 20.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30672270
11.
Effect of Polarization Reversal in Ferroelectric TiN/Hf0.5Zr0.5O2/TiN Devices on Electronic Conditions at Interfaces Studied in Operando by Hard X-ray Photoemission Spectroscopy.
ACS Appl Mater Interfaces
; 9(49): 43370-43376, 2017 Dec 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29160064
12.
Engineering of the chemical reactivity of the Ti/HfO2 interface for RRAM: experiment and theory.
ACS Appl Mater Interfaces
; 6(7): 5056-60, 2014 Apr 09.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-24625458
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