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1.
Selective area growth and stencil lithography for in situ fabricated quantum devices.
Nat Nanotechnol
; 14(9): 825-831, 2019 Sep.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31358942
2.
Alloy formation during molecular beam epitaxy growth of Si-doped InAs nanowires on GaAs[111]B.
J Appl Crystallogr
; 46(Pt 4): 893-897, 2013 Aug 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24046494
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