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1.
Experimental proof of impurity Auger recombination in silicon.
Phys Rev Lett
; 55(27): 2976-2978, 1985 Dec 30.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-10032290
2.
Enhancement of band-to-band Auger recombination by electron-hole correlations.
Phys Rev Lett
; 65(2): 215-218, 1990 Jul 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-10042582
3.
Theory of interband Auger recombination in n-type silicon.
Phys Rev Lett
; 61(10): 1229-1232, 1988 Sep 05.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-10038735
4.
Nonradiative recombination via deep impurity levels in silicon: Experiment.
Phys Rev B Condens Matter
; 35(17): 9149-9161, 1987 Jun 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-9941312
5.
Nonradiative recombination via deep impurity levels in semiconductors: The excitonic Auger mechanism.
Phys Rev B Condens Matter
; 37(5): 2594-2604, 1988 Feb 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-9944810
6.
Recombination of correlated electron-hole pairs in two-dimensional semiconductors.
Phys Rev B Condens Matter
; 48(12): 9146-9149, 1993 Sep 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-10007142
7.
Transient characteristics of isoelectronic bound excitons at hole-attractive defects in silicon: The C(0.79 eV), P(0.767 eV), and H(0.926 eV) lines.
Phys Rev B Condens Matter
; 48(20): 14973-14981, 1993 Nov 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-10008028
8.
Electron-hole-correlation effects in generation-recombination noise.
Phys Rev B Condens Matter
; 45(3): 1163-1171, 1992 Jan 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-10001590
9.
Carrier-induced localization in In-Ga-As/In-Ga-As-P separate-confinement quantum-well structures.
Phys Rev B Condens Matter
; 48(20): 15175-15181, 1993 Nov 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-10008052
10.
Influence of barrier height on carrier lifetime in Ga1-yInyP/(AlxGa1-x)1-yInyP single quantum wells.
Phys Rev B Condens Matter
; 46(11): 7280-7283, 1992 Sep 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-10002453
11.
Influence of exciton ionization on recombination dynamics in In0.53Ga0.47As/InP quantum wells.
Phys Rev B Condens Matter
; 47(3): 1671-1674, 1993 Jan 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-10006194
12.
Direct-to-indirect energy-gap transition in strained GaxIn1-xAs/InP quantum wells.
Phys Rev B Condens Matter
; 48(16): 11991-11993, 1993 Oct 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-10007544
13.
Optical study of extended-molecular-layer flat islands in lattice-matched In0.53Ga0.47As/InP and In0.53Ga0.47As/In1-xGaxAsyP1-y quantum wells grown by low-pressure metal-organic vapor-phase epitaxy with different interruption cycles.
Phys Rev B Condens Matter
; 46(15): 9525-9537, 1992 Oct 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-10002761
14.
Nonradiative recombination via strongly localized defects in quantum wells.
Phys Rev B Condens Matter
; 49(23): 16632-16636, 1994 Jun 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-10010822
15.
Suppression of nonradiative recombination by V-shaped pits in GaInN/GaN quantum wells produces a large increase in the light emission efficiency.
Phys Rev Lett
; 95(12): 127402, 2005 Sep 16.
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| MEDLINE | ID: mdl-16197109
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