Detalles de la búsqueda
1.
Ultrathin ferroic HfO2-ZrO2 superlattice gate stack for advanced transistors.
Nature
; 604(7904): 65-71, 2022 04.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-35388197
2.
Hybrid Deep Learning Crystallographic Mapping of Polymorphic Phases in Polycrystalline Hf0.5 Zr0.5 O2 Thin Films.
Small
; 18(18): e2107620, 2022 05.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-35373528
3.
Tuning Carrier Tunneling in van der Waals Heterostructures for Ultrahigh Detectivity.
Nano Lett
; 17(1): 453-459, 2017 01 11.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-27983857
4.
Reconfigurable van der Waals Heterostructured Devices with Metal-Insulator Transition.
Nano Lett
; 16(11): 6746-6754, 2016 11 09.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-27704847
5.
Tension assisted metal transfer of graphene for Schottky diodes onto wafer scale substrates.
Nanotechnology
; 27(7): 075303, 2016 Feb 19.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-26789103
6.
Graphene and thin-film semiconductor heterojunction transistors integrated on wafer scale for low-power electronics.
Nano Lett
; 13(12): 5967-71, 2013.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24256403
7.
Graphene for true Ohmic contact at metal-semiconductor junctions.
Nano Lett
; 13(9): 4001-5, 2013 Sep 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23978262
8.
Electrical control of kinesin-microtubule motility using a transparent functionalized-graphene substrate.
Nanotechnology
; 24(19): 195102, 2013 May 17.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23594920
9.
Revival of Ferroelectric Memories Based on Emerging Fluorite-Structured Ferroelectrics.
Adv Mater
; 35(43): e2204904, 2023 Oct.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35952355
10.
Highly enhanced ferroelectricity in HfO2-based ferroelectric thin film by light ion bombardment.
Science
; 376(6594): 731-738, 2022 05 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35549417
11.
Characteristics of CVD graphene nanoribbon formed by a ZnO nanowire hardmask.
Nanotechnology
; 22(29): 295201, 2011 Jul 22.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21673381
12.
Quantitative Local Probing of Polarization with Application on HfO2 -Based Thin Films.
Small Methods
; 5(11): e2100781, 2021 Nov.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34927955
13.
Unveiling the Origin of Robust Ferroelectricity in Sub-2 nm Hafnium Zirconium Oxide Films.
ACS Appl Mater Interfaces
; 13(30): 36499-36506, 2021 Aug 04.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-34310129
14.
Ultrahigh Gauge Factor in Graphene/MoS2 Heterojunction Field Effect Transistor with Variable Schottky Barrier.
ACS Nano
; 13(7): 8392-8400, 2019 Jul 23.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-31241306
15.
Direct growth of doping controlled monolayer WSe2 by selenium-phosphorus substitution.
Nanoscale
; 10(24): 11397-11402, 2018 Jun 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29877543
16.
Mobility Engineering in Vertical Field Effect Transistors Based on Van der Waals Heterostructures.
Adv Mater
; 30(9)2018 Mar.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-29333683
17.
Characterization of Edge Contact: Atomically Resolved Semiconductor-Metal Lateral Boundary in MoS2.
Adv Mater
; 29(41)2017 Nov.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-28922484
18.
Thickness scaling of atomic-layer-deposited HfO2 films and their application to wafer-scale graphene tunnelling transistors.
Sci Rep
; 6: 20907, 2016 Feb 10.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-26861833
19.
Two-terminal floating-gate memory with van der Waals heterostructures for ultrahigh on/off ratio.
Nat Commun
; 7: 12725, 2016 09 02.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-27586841
20.
Graphene barristor, a triode device with a gate-controlled Schottky barrier.
Science
; 336(6085): 1140-3, 2012 Jun 01.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-22604723