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1.
Nonvolatile floating gate memory containing AgInSbTe-SiO2 nanocomposite layer and capping the HfO2/SiO2 composite blocking oxide layer.
Nanotechnology
; 23(22): 225703, 2012 Jun 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22571872
2.
Highly stable precursor solution containing ZnO nanoparticles for the preparation of ZnO thin film transistors.
Nanotechnology
; 21(29): 295707, 2010 Jul 23.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-20601767
3.
Characteristics of AgInSbTe-SiO2 nanocomposite thin film applied to nonvolatile floating gate memory devices.
Nanotechnology
; 21(42): 425204, 2010 Oct 22.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-20858935
4.
The conductive property of ZnO QDs-SiO2 and ZnO QDs-SiO(x)N(y) nanocomposite films.
J Nanosci Nanotechnol
; 9(8): 4892-900, 2009 Aug.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-19928166
5.
Using mixed solvent and changing spin-coating parameters to increase the efficiency and lifetime of organic solar cells.
J Nanosci Nanotechnol
; 8(10): 5232-5, 2008 Oct.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-19198428
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