Detalles de la búsqueda
1.
Improved Ion/Ioff Current Ratio and Dynamic Resistance of a p-GaN High-Electron-Mobility Transistor Using an Al0.5GaN Etch-Stop Layer.
Materials (Basel)
; 15(10)2022 May 13.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-35629530
2.
Hole Injection Effect and Dynamic Characteristic Analysis of Normally Off p-GaN HEMT with AlGaN Cap Layer on Low-Resistivity SiC Substrate.
Micromachines (Basel)
; 13(5)2022 May 22.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-35630274
3.
Optimization of the Field Plate Design of a 1200 V p-GaN Power High-Electron-Mobility Transistor.
Micromachines (Basel)
; 13(9)2022 Sep 19.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-36144177
4.
High Thermal Dissipation of Normally off p-GaN Gate AlGaN/GaN HEMTs on 6-Inch N-Doped Low-Resistivity SiC Substrate.
Micromachines (Basel)
; 12(5)2021 May 01.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-34062908
5.
Characteristic Analysis of AlGaN/GaN HEMT with Composited Buffer Layer on High-Heat Dissipation Poly-AlN Substrates.
Membranes (Basel)
; 11(11)2021 Oct 30.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-34832077
6.
Normally-Off p-GaN Gated AlGaN/GaN MIS-HEMTs with ALD-Grown Al2O3/AlN Composite Gate Insulator.
Membranes (Basel)
; 11(10)2021 Sep 23.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-34677492
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