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1.
Bipolar Switching Properties of Neodymium Oxide RRAM Devices Using by a Low Temperature Improvement Method.
Materials (Basel)
; 10(12)2017 Dec 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29231867
2.
Schottky Emission Distance and Barrier Height Properties of Bipolar Switching Gd:SiOx RRAM Devices under Different Oxygen Concentration Environments.
Materials (Basel)
; 11(1)2017 Dec 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29283368
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