Detalles de la búsqueda
1.
Very low excess noise Al0.75Ga0.25As0.56Sb0.44 avalanche photodiode.
Opt Express
; 31(20): 33141-33149, 2023 Sep 25.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-37859101
2.
Room-Temperature Midwavelength Infrared InAsSb Nanowire Photodetector Arrays with Al2O3 Passivation.
Nano Lett
; 19(5): 2793-2802, 2019 05 08.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-30676752
3.
InGaAs-GaAs Nanowire Avalanche Photodiodes Toward Single-Photon Detection in Free-Running Mode.
Nano Lett
; 19(1): 582-590, 2019 01 09.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-30517782
4.
High-efficiency ultrafast optical-to-electrical converters based on InAs nanowire-plasmonic arrays.
Opt Lett
; 44(19): 4666-4669, 2019 Oct 01.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-31568412
5.
Feasibility of achieving high detectivity at short- and mid-wavelength infrared using nanowire-plasmonic photodetectors with p-n heterojunctions.
Nanotechnology
; 30(4): 044002, 2019 Jan 25.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-30465548
6.
Uncooled Photodetector at Short-Wavelength Infrared Using InAs Nanowire Photoabsorbers on InP with p- n Heterojunctions.
Nano Lett
; 18(12): 7901-7908, 2018 12 12.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-30444964
7.
Catalyst-free selective-area epitaxy of GaAs nanowires by metal-organic chemical vapor deposition using triethylgallium.
Nanotechnology
; 29(8): 085601, 2018 Feb 23.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-29300185
8.
A three-dimensional insight into correlation between carrier lifetime and surface recombination velocity for nanowires.
Nanotechnology
; 29(50): 504003, 2018 Dec 14.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-30240365
9.
Telecom-Wavelength Bottom-up Nanobeam Lasers on Silicon-on-Insulator.
Nano Lett
; 17(9): 5244-5250, 2017 09 13.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-28759243
10.
Diode Characteristics Approaching Bulk Limits in GaAs Nanowire Array Photodetectors.
Nano Lett
; 17(4): 2420-2425, 2017 04 12.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-28334536
11.
Monolithic InGaAs Nanowire Array Lasers on Silicon-on-Insulator Operating at Room Temperature.
Nano Lett
; 17(6): 3465-3470, 2017 06 14.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-28535069
12.
Monolithically Integrated InGaAs Nanowires on 3D Structured Silicon-on-Insulator as a New Platform for Full Optical Links.
Nano Lett
; 16(3): 1833-9, 2016 Mar 09.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-26901448
13.
High Quantum Efficiency Nanopillar Photodiodes Overcoming the Diffraction Limit of Light.
Nano Lett
; 16(1): 199-204, 2016 Jan 13.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-26682745
14.
Comparative study of photoluminescence from In0.3Ga0.7As/GaAs surface and buried quantum dots.
Nanotechnology
; 27(46): 465701, 2016 Nov 18.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-27749272
15.
High-Quality InAsSb Nanowires Grown by Catalyst-Free Selective-Area Metal-Organic Chemical Vapor Deposition.
Nano Lett
; 15(10): 6614-9, 2015 Oct 14.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-26422559
16.
Axial diffusion barriers in near-infrared nanopillar LEDs.
Nano Lett
; 14(11): 6037-41, 2014 Nov 12.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-25280080
17.
Improved quantum dot stacking for intermediate band solar cells using strain compensation.
Nanotechnology
; 25(44): 445402, 2014 Nov 07.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25319397
18.
Direct-bandgap epitaxial core-multishell nanopillar photovoltaics featuring subwavelength optical concentrators.
Nano Lett
; 13(4): 1632-7, 2013 Apr 10.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-23485255
19.
Anisotropic electro-optic effect on InGaAs quantum dot chain modulators.
Opt Lett
; 38(20): 4262-4, 2013 Oct 15.
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| MEDLINE | ID: mdl-24321975
20.
Self-aligned active quantum nanostructures in photonic crystals via selective wet-chemical etching.
Nanotechnology
; 24(26): 265201, 2013 Jul 05.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-23733244