Detalles de la búsqueda
1.
Polarization-Resolved p-Se/n-WS2 Heterojunctions toward Application in Microcomputer System as Multivalued Signal Trigger.
Small
; 18(34): e2202523, 2022 Aug.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35905495
2.
Stimuli-Responsive Materials from Ferrocene-Based Organic Small Molecule for Wearable Sensors.
Small
; 17(46): e2103125, 2021 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34612010
3.
Tunable Polarity Behavior and Self-Driven Photoswitching in p-WSe2/n-WS2 Heterojunctions.
Small
; 11(40): 5430-8, 2015 Oct 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26296851
4.
Improving the field-effect performance of Bi2S3 single nanowires by an asymmetric device fabrication.
Chemphyschem
; 16(1): 99-103, 2015 Jan 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25294685
5.
Effect of electrical contact on the performance of Bi2S3 single nanowire photodetectors.
Chemphyschem
; 15(12): 2510-6, 2014 Aug 25.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25099253
6.
Dual-Junction Field-Effect Transistor with Ultralow Subthreshold Swing Approaching the Theoretical Limit.
ACS Appl Mater Interfaces
; 2024 Apr 29.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38684053
7.
Two-Dimensional GeS/SnSe2 Tunneling Photodiode with Bidirectional Photoresponse and High Polarization Sensitivity.
ACS Appl Mater Interfaces
; 2024 Jun 22.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38907704
8.
Polarization-Sensitive Self-Powered Schottky Photodetector with High Photovoltaic Performance Induced by Geometry-Asymmetric Contacts.
ACS Appl Mater Interfaces
; 16(11): 13914-13926, 2024 Mar 20.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38447591
9.
Highly Sensitive Broadband Polarized Photodetector Based on the As0.6P0.4/WSe2 Heterostructure toward Imaging and Optical Communication Application.
ACS Appl Mater Interfaces
; 16(10): 12805-12812, 2024 Mar 13.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-38422468
10.
Polarization- and Gate-Tunable Optoelectronic Reverse in 2D Semimetal/Semiconductor Photovoltaic Heterostructure.
Adv Mater
; 36(6): e2309371, 2024 Feb.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37769436
11.
2D Free-Standing GeS1-xSex with Composition-Tunable Bandgap for Tailored Polarimetric Optoelectronics.
Adv Mater
; : e2313721, 2024 Apr 26.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38669677
12.
Abnormal photocurrent response and enhanced photocatalytic activity induced by charge transfer between WS(2) nanosheets and WO(3) nanoparticles.
Chemphyschem
; 14(18): 4069-73, 2013 Dec 16.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24227745
13.
Bi2O2Se Nanowire/MoSe2 Mixed-Dimensional Polarization-Sensitive Photodiode with a Nanoscale Ultrafast-Response Channel.
ACS Appl Mater Interfaces
; 15(25): 30504-30516, 2023 Jun 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37335909
14.
Self-Powered Photodetector with High Efficiency and Polarization Sensitivity Enabled by WSe2/Ta2NiSe5/WSe2 van der Waals Dual Heterojunction.
ACS Appl Mater Interfaces
; 15(24): 29363-29374, 2023 Jun 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37294943
15.
Visible and infrared photodiode based on γ-InSe/Ge van der Waals heterojunction for polarized detection and imaging.
Nanoscale
; 15(7): 3520-3531, 2023 Feb 16.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36723020
16.
Type-II Bi2O2Se/MoTe2 van der Waals Heterostructure Photodetectors with High Gate-Modulation Photovoltaic Performance.
ACS Appl Mater Interfaces
; 15(14): 18101-18113, 2023 Apr 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36989425
17.
Multifunctional GeAs/WS2 Heterojunctions for Highly Polarization-Sensitive Photodetectors in the Short-Wave Infrared Range.
ACS Appl Mater Interfaces
; 14(19): 22607-22614, 2022 May 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35514056
18.
Low-pressure PVD growth SnS/InSe vertical heterojunctions with type-II band alignment for typical nanoelectronics.
Nanoscale
; 14(39): 14603-14612, 2022 Oct 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36156046
19.
A high performance self-powered photodetector based on a 1D Te-2D WS2 mixed-dimensional heterostructure.
Nanoscale Adv
; 3(9): 2657-2665, 2021 May 04.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36134149
20.
High hole mobility in physical vapour deposition-grown tellurium-based transistors.
R Soc Open Sci
; 8(8): 210554, 2021 Aug.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-34430047