Detalles de la búsqueda
1.
2Memristor-1Capacitor Integrated Temporal Kernel for High-Dimensional Data Mapping.
Small
; 20(25): e2306585, 2024 Jun.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38212281
2.
Ferroelectric domain wall memory with embedded selector realized in LiNbO3 single crystals integrated on Si wafers.
Nat Mater
; 19(11): 1188-1194, 2020 Nov.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32541933
3.
Fluorite-structure antiferroelectrics.
Rep Prog Phys
; 82(12): 124502, 2019 Dec.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31574497
4.
Temporary formation of highly conducting domain walls for non-destructive read-out of ferroelectric domain-wall resistance switching memories.
Nat Mater
; 17(1): 49-56, 2018 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29180776
5.
In2Ga2ZnO7 oxide semiconductor based charge trap device for NAND flash memory.
Nanotechnology
; 29(15): 155203, 2018 Apr 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29420311
6.
Atomic layer deposition of GeSe films using HGeCl3 and [(CH3)3Si]2Se with the discrete feeding method for the ovonic threshold switch.
Nanotechnology
; 29(36): 365202, 2018 Sep 07.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29920183
7.
Voltage Drop in a Ferroelectric Single Layer Capacitor by Retarded Domain Nucleation.
Nano Lett
; 17(12): 7796-7802, 2017 12 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29111746
8.
Four-Bits-Per-Cell Operation in an HfO2 -Based Resistive Switching Device.
Small
; 13(40)2017 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28857422
9.
Preparation and characterization of ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 thin films grown by reactive sputtering.
Nanotechnology
; 28(30): 305703, 2017 Jul 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28562366
10.
Regulation of transport properties by polytypism: a computational study on bilayer MoS2.
Phys Chem Chem Phys
; 19(32): 21282-21286, 2017 Aug 16.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28776619
11.
Low-Power, Self-Rectifying, and Forming-Free Memristor with an Asymmetric Programing Voltage for a High-Density Crossbar Application.
Nano Lett
; 16(11): 6724-6732, 2016 11 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27661260
12.
Time-Dependent Negative Capacitance Effects in Al2O3/BaTiO3 Bilayers.
Nano Lett
; 16(7): 4375-81, 2016 07 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27231754
13.
A crossbar resistance switching memory readout scheme with sneak current cancellation based on a two-port current-mode sensing.
Nanotechnology
; 27(48): 485201, 2016 Dec 02.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27796274
14.
Introduction to memristors and neuromorphic systems.
Mater Horiz
; 2024 May 31.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38819324
15.
Tunable stochastic memristors for energy-efficient encryption and computing.
Nat Commun
; 15(1): 3245, 2024 Apr 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38622148
16.
Heterogeneous reservoir computing in second-order Ta2O5/HfO2 memristors.
Nanoscale Horiz
; 9(3): 427-437, 2024 Feb 26.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38086679
17.
A high-dimensional in-sensor reservoir computing system with optoelectronic memristors for high-performance neuromorphic machine vision.
Mater Horiz
; 11(2): 499-509, 2024 Jan 22.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37966888
18.
Spatiotemporal Data Processing with Memristor Crossbar-Array-Based Graph Reservoir.
Adv Mater
; 36(7): e2309314, 2024 Feb.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37879643
19.
Study of a charge transition-driven resistive switching mechanism in TiO2-based random access memory via density functional theory.
Nanoscale
; 16(14): 6949-6960, 2024 Apr 04.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38494908
20.
Cross-Wired Memristive Crossbar Array for Effective Graph Data Analysis.
Adv Mater
; 36(13): e2311040, 2024 Mar.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38145578