Detalles de la búsqueda
1.
Near-Infrared Lasing at 1 µm from a Dilute-Nitride-Based Multishell Nanowire.
Nano Lett
; 19(2): 885-890, 2019 02 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30608174
2.
Controlling Bi-Provoked Nanostructure Formation in GaAs/GaAsBi Core-Shell Nanowires.
Nano Lett
; 19(12): 8510-8518, 2019 12 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31525986
3.
Dilute Nitride Nanowire Lasers Based on a GaAs/GaNAs Core/Shell Structure.
Nano Lett
; 17(3): 1775-1781, 2017 03 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28170267
4.
GaAsBi/GaAs multi-quantum well LED grown by molecular beam epitaxy using a two-substrate-temperature technique.
Nanotechnology
; 28(10): 105702, 2017 Mar 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28145284
5.
Metamorphic GaAs/GaAsBi Heterostructured Nanowires.
Nano Lett
; 15(11): 7265-72, 2015 Nov 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26501188
6.
Selective synthesis of compound semiconductor/oxide composite nanowires.
Nano Lett
; 14(12): 7024-30, 2014 Dec 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25347721
7.
High-Performance Multiwavelength GaNAs Single Nanowire Lasers.
ACS Nano
; 18(2): 1477-1484, 2024 Jan 16.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38166147
8.
Growth of dilute nitride GaAsN/GaAs heterostructure nanowires on Si substrates.
Nanotechnology
; 24(6): 065601, 2013 Feb 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23324475
9.
Wafer-scale integration of GaAs/AlGaAs core-shell nanowires on silicon by the single process of self-catalyzed molecular beam epitaxy.
Nanoscale Adv
; 5(6): 1651-1663, 2023 Mar 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36926567
10.
Designing Semiconductor Nanowires for Efficient Photon Upconversion via Heterostructure Engineering.
ACS Nano
; 16(8): 12666-12676, 2022 Aug 23.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35876227
11.
Self-assembled nanodisks in coaxial GaAs/GaAsBi/GaAs core-multishell nanowires.
Nanoscale
; 12(40): 20849-20858, 2020 Oct 22.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33043329
12.
Effects of thermal annealing on localization and strain in core/multishell GaAs/GaNAs/GaAs nanowires.
Sci Rep
; 10(1): 8216, 2020 May 19.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32427905
13.
Annealing induced atomic rearrangements on (Ga,In) (N,As) probed by hard X-ray photoelectron spectroscopy and X-ray absorption fine structure.
Sci Rep
; 8(1): 5962, 2018 Apr 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29654243
14.
Suppression of non-radiative surface recombination by N incorporation in GaAs/GaNAs core/shell nanowires.
Sci Rep
; 5: 11653, 2015 Jun 23.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26100755
15.
Epitaxial lift-off for sample preparation of x-ray absorption fine structure.
Rev Sci Instrum
; 81(4): 043903, 2010 Apr.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-20441346
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