Detalles de la búsqueda
1.
Electron trapping at SiO2/4H-SiC interface probed by transient capacitance measurements and atomic resolution chemical analysis.
Nanotechnology
; 29(39): 395702, 2018 Sep 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29972377
2.
An Overview of Normally-Off GaN-Based High Electron Mobility Transistors.
Materials (Basel)
; 12(10)2019 May 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31096689
3.
Conduction Mechanisms at Interface of AlN/SiN Dielectric Stacks with AlGaN/GaN Heterostructures for Normally-off High Electron Mobility Transistors: Correlating Device Behavior with Nanoscale Interfaces Properties.
ACS Appl Mater Interfaces
; 9(40): 35383-35390, 2017 Oct 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28920438
Resultados
1 -
3
de 3
1
Próxima >
>>