Detalles de la búsqueda
1.
Inhomogeneous spatial distribution of non radiative recombination centers in GaN/InGaN nanowire heterostructures studied by cathodoluminescence.
Nanotechnology
; 34(49)2023 Sep 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37640021
2.
Ultrathin GaN quantum wells in AlN nanowires for UV-C emission.
Nanotechnology
; 34(27)2023 Apr 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37023726
3.
The role of surface states and point defects on optical properties of InGaN/GaN multi-quantum wells in nanowires grown by molecular beam epitaxy.
Nanotechnology
; 34(3)2022 Nov 04.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36215872
4.
Nanoscale Dopant Profiling of Individual Semiconductor Wires by Capacitance-Voltage Measurement.
Nano Lett
; 21(8): 3372-3378, 2021 Apr 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33825480
5.
Role of Ga Surface Diffusion in the Elongation Mechanism and Optical Properties of Catalyst-Free GaN Nanowires Grown by Molecular Beam Epitaxy.
Nano Lett
; 19(7): 4250-4256, 2019 Jul 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31241343
6.
Mg and In Codoped p-type AlN Nanowires for pn Junction Realization.
Nano Lett
; 19(12): 8357-8364, 2019 12 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31724873
7.
Insights about the Absence of Rb Cation from the 3D Perovskite Lattice: Effect on the Structural, Morphological, and Photophysical Properties and Photovoltaic Performance.
Small
; 14(36): e1802033, 2018 Sep.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30091843
8.
Intrinsic and Extrinsic Stability of Formamidinium Lead Bromide Perovskite Solar Cells Yielding High Photovoltage.
Nano Lett
; 16(11): 7155-7162, 2016 11 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27776210
9.
Triazatruxene-Based Hole Transporting Materials for Highly Efficient Perovskite Solar Cells.
J Am Chem Soc
; 137(51): 16172-8, 2015 Dec 30.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26630459
10.
Color control of nanowire InGaN/GaN light emitting diodes by post-growth treatment.
Nanotechnology
; 26(46): 465203, 2015 Nov 20.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26508299
11.
Investigation of the Impact of Point Defects in InGaN/GaN Quantum Wells with High Dislocation Densities.
Nanomaterials (Basel)
; 13(18)2023 Sep 16.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37764598
12.
M-plane core-shell InGaN/GaN multiple-quantum-wells on GaN wires for electroluminescent devices.
Nano Lett
; 11(11): 4839-45, 2011 Nov 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21967509
13.
Nanometer scale spectral imaging of quantum emitters in nanowires and its correlation to their atomically resolved structure.
Nano Lett
; 11(2): 568-73, 2011 Feb 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21182283
14.
Molecular Origin of the Asymmetric Photoluminescence Spectra of CsPbBr3 at Low Temperature.
J Phys Chem Lett
; 12(10): 2699-2704, 2021 Mar 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33703902
15.
Visible-blind photodetector based on p-i-n junction GaN nanowire ensembles.
Nanotechnology
; 21(31): 315201, 2010 Aug 06.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-20634569
16.
Investigation of the electronic transport in GaN nanowires containing GaN/AlN quantum discs.
Nanotechnology
; 21(42): 425206, 2010 Oct 22.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-20864782
17.
Role of Underlayer for Efficient Core-Shell InGaN QWs Grown on m-plane GaN Wire Sidewalls.
ACS Appl Mater Interfaces
; 12(16): 19092-19101, 2020 Apr 22.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32208628
18.
UV Emission from GaN Wires with m-Plane Core-Shell GaN/AlGaN Multiple Quantum Wells.
ACS Appl Mater Interfaces
; 12(39): 44007-44016, 2020 Sep 30.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32894670
19.
Origin of unusual bandgap shift and dual emission in organic-inorganic lead halide perovskites.
Sci Adv
; 2(10): e1601156, 2016 Oct.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27819049
20.
Biexcitonic molecules survive excitons at the Mott transition.
Nat Commun
; 5: 5251, 2014 Oct 24.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-25341721