Detalles de la búsqueda
1.
Electrical Spin Driving by g-Matrix Modulation in Spin-Orbit Qubits.
Phys Rev Lett
; 120(13): 137702, 2018 Mar 30.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29694195
2.
CMOS platform for atomic-scale device fabrication.
Nanotechnology
; 29(43): 435302, 2018 Oct 26.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30070975
3.
Level Spectrum and Charge Relaxation in a Silicon Double Quantum Dot Probed by Dual-Gate Reflectometry.
Nano Lett
; 17(2): 1001-1006, 2017 02 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28080065
4.
Quantum dot made in metal oxide silicon-nanowire field effect transistor working at room temperature.
Nano Lett
; 15(5): 2958-64, 2015 May 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25923197
5.
Few-electron edge-state quantum dots in a silicon nanowire field-effect transistor.
Nano Lett
; 14(4): 2094-8, 2014.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24611581
6.
Few electron limit of n-type metal oxide semiconductor single electron transistors.
Nanotechnology
; 23(21): 215204, 2012 Jun 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22552118
7.
Gate reflectometry of single-electron box arrays using calibrated low temperature matching networks.
Sci Rep
; 12(1): 3098, 2022 02 23.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35197499
8.
Gate-based high fidelity spin readout in a CMOS device.
Nat Nanotechnol
; 14(8): 737-741, 2019 Aug.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31086305
9.
Single donor electronics and quantum functionalities with advanced CMOS technology.
J Phys Condens Matter
; 28(10): 103001, 2016 Mar 16.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26871255
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