Detalles de la búsqueda
1.
GaN/NbN epitaxial semiconductor/superconductor heterostructures.
Nature
; 555(7695): 183-189, 2018 03 07.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29516996
2.
Enhanced injection efficiency and light output in bottom tunnel-junction light-emitting diodes.
Opt Express
; 28(4): 4489-4500, 2020 Feb 17.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32121684
3.
Engineering the Berreman mode in mid-infrared polar materials.
Opt Express
; 28(19): 28590-28599, 2020 Sep 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32988126
4.
Route to High Hole Mobility in GaN via Reversal of Crystal-Field Splitting.
Phys Rev Lett
; 123(9): 096602, 2019 Aug 30.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31524479
5.
Hot Electron Transistor with van der Waals Base-Collector Heterojunction and High-Performance GaN Emitter.
Nano Lett
; 17(5): 3089-3096, 2017 05 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28414241
6.
Esaki Diodes in van der Waals Heterojunctions with Broken-Gap Energy Band Alignment.
Nano Lett
; 15(9): 5791-8, 2015 Sep 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26226296
7.
Role of metal contacts in designing high-performance monolayer n-type WSe2 field effect transistors.
Nano Lett
; 13(5): 1983-90, 2013 May 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23527483
8.
Terahertz imaging employing graphene modulator arrays.
Opt Express
; 21(2): 2324-30, 2013 Jan 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23389211
9.
Extraordinary control of terahertz beam reflectance in graphene electro-absorption modulators.
Nano Lett
; 12(9): 4518-22, 2012 Sep 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22862777
10.
Dephasing by optical phonons in GaN defect single-photon emitters.
Sci Rep
; 13(1): 8678, 2023 May 29.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37248283
11.
A new class of electrically tunable metamaterial terahertz modulators.
Opt Express
; 20(27): 28664-71, 2012 Dec 17.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23263104
12.
Studies of intrinsic hot phonon dynamics in suspended graphene by transient absorption microscopy.
Nano Lett
; 11(8): 3184-9, 2011 Aug 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21696177
13.
Molecular beam homoepitaxy of N-polar AlN: Enabling role of aluminum-assisted surface cleaning.
Sci Adv
; 8(36): eabo6408, 2022 Sep 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36083903
14.
Properties for Thermally Conductive Interfaces with Wide Band Gap Materials.
ACS Appl Mater Interfaces
; 14(31): 36178-36188, 2022 Aug 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35895030
15.
Thermally limited current carrying ability of graphene nanoribbons.
Phys Rev Lett
; 106(25): 256801, 2011 Jun 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21770659
16.
Crystal orientation dictated epitaxy of ultrawide-bandgap 5.4- to 8.6-eV α-(AlGa)2O3 on m-plane sapphire.
Sci Adv
; 7(2)2021 Jan.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33523991
17.
Momentum-resolved electronic structure and band offsets in an epitaxial NbN/GaN superconductor/semiconductor heterojunction.
Sci Adv
; 7(52): eabi5833, 2021 Dec 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34936435
18.
An all-epitaxial nitride heterostructure with concurrent quantum Hall effect and superconductivity.
Sci Adv
; 7(8)2021 Feb.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33608281
19.
2D crystal semiconductors: Intimate contacts.
Nat Mater
; 13(12): 1076-8, 2014 Dec.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25410976
20.
A polarization-induced 2D hole gas in undoped gallium nitride quantum wells.
Science
; 365(6460): 1454-1457, 2019 09 27.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31604274