Detalles de la búsqueda
1.
Atomic layer deposition of SnS2film on a precursor pre-treated substrate.
Nanotechnology
; 35(20)2024 Feb 27.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38306693
2.
The effect of an annealing process on atomic layer deposited TiO2thin films.
Nanotechnology
; 33(4)2021 Nov 05.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34638117
3.
Atomic layer deposition for rutile structure TiO2thin films using a SnO2seed layer and low temperature heat treatment.
Nanotechnology
; 33(11)2021 Dec 22.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34875642
4.
Investigation of the growth of few-layer SnS2 thin films via atomic layer deposition on an O2 plasma-treated substrate.
Nanotechnology
; 31(26): 265604, 2020 Apr 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32176869
5.
Accelerated temperature and humidity testing of 2D SnS2 thin films made via four-inch-wafer-scale atomic layer deposition.
Nanotechnology
; 31(35): 355702, 2020 Aug 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32403092
6.
Layered deposition of SnS2 grown by atomic layer deposition and its transport properties.
Nanotechnology
; 30(40): 405707, 2019 Oct 04.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31247597
7.
Characterization of Ti3+-doped TiO2 based composite electrode for lithium polymer secondary batteries.
Nanotechnology
; 29(44): 445402, 2018 Nov 02.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30135297
8.
Fabrication of high crystalline SnS and SnS2 thin films, and their switching device characteristics.
Nanotechnology
; 29(21): 215201, 2018 May 25.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29498937
9.
Terahertz Quantum Plasmonics of Nanoslot Antennas in Nonlinear Regime.
Nano Lett
; 15(10): 6683-8, 2015 Oct 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26372787
10.
Investigation of the flatband voltage (V(FB)) shift of Al2O3 on N2 plasma treated Si substrate.
J Nanosci Nanotechnol
; 13(9): 6275-9, 2013 Sep.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24205644
11.
Properties of flexible phosphorescence polymer light emitting diodes coated on polyethylenenaphthalate plastic substrates.
J Nanosci Nanotechnol
; 12(2): 1585-8, 2012 Feb.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22630006
12.
The effect of annealing ambient on the characteristics of an indium-gallium-zinc oxide thin film transistor.
J Nanosci Nanotechnol
; 11(7): 6029-33, 2011 Jul.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22121652
13.
Change in the interfacial reaction of Hf-silicate film as a function of thickness and stoichiometry.
J Chem Phys
; 129(3): 034705, 2008 Jul 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-18647036
14.
Terahertz rectification in ring-shaped quantum barriers.
Nat Commun
; 9(1): 4914, 2018 11 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30464244
15.
Tunnelling current-voltage characteristics of Angstrom gaps measured with terahertz time-domain spectroscopy.
Sci Rep
; 6: 29103, 2016 06 30.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27357346
16.
Improvement in the Positive Bias Temperature Stability of SnOx-Based Thin Film Transistors by Hf and Zn Doping.
J Nanosci Nanotechnol
; 15(10): 7606-10, 2015 Oct.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26726382
17.
Tuning the electronic structure of tin sulfides grown by atomic layer deposition.
ACS Appl Mater Interfaces
; 5(18): 8889-96, 2013 Sep 25.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24041133
18.
Photocurrent detection of chemically tuned hierarchical ZnO nanostructures grown on seed layers formed by atomic layer deposition.
Nanoscale Res Lett
; 7(1): 290, 2012 Jun 06.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-22672780
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