Detalles de la búsqueda
1.
Plasma enhanced atomic layer deposition of silicon nitride using magnetized very high frequency plasma.
Nanotechnology
; 35(27)2024 Apr 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38522102
2.
Highly selective etching of SiNxover SiO2using ClF3/Cl2remote plasma.
Nanotechnology
; 34(46)2023 Aug 29.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37531942
3.
Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition of Silicon Nitride for Two Different Aminosilane Precursors Using Very High Frequency (162 MHz) Plasma Source.
ACS Appl Mater Interfaces
; 15(23): 28763-28771, 2023 Jun 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37269552
4.
High-throughput manufacturing of epitaxial membranes from a single wafer by 2D materials-based layer transfer process.
Nat Nanotechnol
; 18(5): 464-470, 2023 May.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36941360
5.
Deposition of Very-Low-Hydrogen-Containing Silicon at a Low Temperature Using Very-High-Frequency (162 MHz) SiH4 Plasma.
Micromachines (Basel)
; 13(2)2022 Jan 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35208298
6.
Selective etching of silicon nitride over silicon oxide using ClF3/H2 remote plasma.
Sci Rep
; 12(1): 5703, 2022 Apr 05.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35383214
7.
Impact of 2D-3D Heterointerface on Remote Epitaxial Interaction through Graphene.
ACS Nano
; 15(6): 10587-10596, 2021 Jun 22.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34081854
8.
Ultrasensitive MoS2 photodetector by serial nano-bridge multi-heterojunction.
Nat Commun
; 10(1): 4701, 2019 10 16.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31619671
9.
Silicon Nitride Deposition for Flexible Organic Electronic Devices by VHF (162 MHz)-PECVD Using a Multi-Tile Push-Pull Plasma Source.
Sci Rep
; 7(1): 13585, 2017 10 19.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29051604
10.
Atomic layer etching of graphene through controlled ion beam for graphene-based electronics.
Sci Rep
; 7(1): 2462, 2017 05 26.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28550291
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