Detalles de la búsqueda
1.
Analog memory and spike-timing-dependent plasticity characteristics of a nanoscale titanium oxide bilayer resistive switching device.
Nanotechnology
; 22(25): 254023, 2011 Jun 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21572200
2.
Resistive switching characteristics of polymer non-volatile memory devices in a scalable via-hole structure.
Nanotechnology
; 20(2): 025201, 2009 Jan 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-19417263
3.
Nonvolatile memory functionality of ZnO nanowire transistors controlled by mobile protons.
ACS Nano
; 5(1): 558-64, 2011 Jan 25.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21155534
4.
Rewritable switching of one diode-one resistor nonvolatile organic memory devices.
Adv Mater
; 22(11): 1228-32, 2010 Mar 19.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-20437509
5.
Three-dimensional integration of organic resistive memory devices.
Adv Mater
; 22(44): 5048-52, 2010 Nov 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-20839254
Resultados
1 -
5
de 5
1
Próxima >
>>