Detalles de la búsqueda
1.
Lithium intercalation in two-dimensional penta-NiN2: insights from NiN2/NiN2 homostructure and G/NiN2 heterostructure.
Nanoscale
; 16(8): 3985-3993, 2024 Feb 22.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37969033
2.
Analytic description of nanowires II: morphing of regular cross sections for zincblende- and diamond-structures to match arbitrary shapes. Corrigendum.
Acta Crystallogr B Struct Sci Cryst Eng Mater
; 79(Pt 2): 195, 2023 Apr 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36920880
3.
Analytic description of nanowires II: morphing of regular cross sections for zincblende- and diamond-structures to match arbitrary shapes.
Acta Crystallogr B Struct Sci Cryst Eng Mater
; 78(Pt 4): 643-664, 2022 Aug 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35975831
4.
Analytical description of nanowires III: regular cross sections for wurtzite structures.
Acta Crystallogr B Struct Sci Cryst Eng Mater
; 78(Pt 4): 665-677, 2022 Aug 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35975832
5.
Turning Low-Nanoscale Intrinsic Silicon Highly Electron-Conductive by SiO2 Coating.
ACS Appl Mater Interfaces
; 13(17): 20479-20488, 2021 May 05.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33878265
6.
Design guidelines for transition metals as interstitial emitters in silicon nanocrystals to tune photoluminescence properties: zinc as biocompatible example.
Nanoscale
; 12(37): 19340-19349, 2020 Oct 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32940305
7.
Analytical description of nanowires. I. Regular cross sections for zincblende and diamond structures.
Acta Crystallogr B Struct Sci Cryst Eng Mater
; 75(Pt 5): 788-802, 2019 Oct 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32830758
8.
Absence of free carriers in silicon nanocrystals grown from phosphorus- and boron-doped silicon-rich oxide and oxynitride.
Beilstein J Nanotechnol
; 9: 1501-1511, 2018.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29977683
9.
Intrinsic ultrasmall nanoscale silicon turns n-/p-type with SiO2/Si3N4-coating.
Beilstein J Nanotechnol
; 9: 2255-2264, 2018.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30202694
10.
Structural Properties of Al-O Monolayers in SiO2 on Silicon and the Maximization of Their Negative Fixed Charge Density.
ACS Appl Mater Interfaces
; 10(36): 30495-30505, 2018 Sep 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30110151
11.
Modulation Doping of Silicon using Aluminium-induced Acceptor States in Silicon Dioxide.
Sci Rep
; 7: 46703, 2017 04 20.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28425460
12.
Defect-Induced Luminescence Quenching vs. Charge Carrier Generation of Phosphorus Incorporated in Silicon Nanocrystals as Function of Size.
Sci Rep
; 7(1): 863, 2017 04 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28408757
13.
Boron-Incorporating Silicon Nanocrystals Embedded in SiO2: Absence of Free Carriers vs. B-Induced Defects.
Sci Rep
; 7(1): 8337, 2017 08 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28827565
14.
Location and Electronic Nature of Phosphorus in the Si Nanocrystal--SiO2 System.
Sci Rep
; 5: 9702, 2015 May 22.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25997696
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