Detalles de la búsqueda
1.
One-Step Synthesis of NbSe2/Nb-Doped-WSe2 Metal/Doped-Semiconductor van der Waals Heterostructures for Doping Controlled Ohmic Contact.
ACS Nano
; 15(8): 13031-13040, 2021 Aug 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34350752
2.
Selective Pattern Growth of Atomically Thin MoSe2 Films via a Surface-Mediated Liquid-Phase Promoter.
ACS Appl Mater Interfaces
; 13(15): 18056-18064, 2021 Apr 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33827208
3.
Photoinduced Tuning of Schottky Barrier Height in Graphene/MoS2 Heterojunction for Ultrahigh Performance Short Channel Phototransistor.
ACS Nano
; 14(6): 7574-7580, 2020 Jun 23.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32401483
4.
Schottky Barrier Variable Graphene/Multilayer-MoS2 Heterojunction Transistor Used to Overcome Short Channel Effects.
ACS Appl Mater Interfaces
; 12(2): 2854-2861, 2020 Jan 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31855598
5.
Unveiling the Hot Carrier Distribution in Vertical Graphene/h-BN/Au van der Waals Heterostructures for High-Performance Photodetector.
ACS Appl Mater Interfaces
; 12(9): 10772-10780, 2020 Mar 04.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32013378
6.
Ultrahigh Gauge Factor in Graphene/MoS2 Heterojunction Field Effect Transistor with Variable Schottky Barrier.
ACS Nano
; 13(7): 8392-8400, 2019 Jul 23.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31241306
7.
Mobility Engineering in Vertical Field Effect Transistors Based on Van der Waals Heterostructures.
Adv Mater
; 30(9)2018 Mar.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29333683
8.
Direct growth of doping controlled monolayer WSe2 by selenium-phosphorus substitution.
Nanoscale
; 10(24): 11397-11402, 2018 Jun 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29877543
9.
Two-terminal floating-gate memory with van der Waals heterostructures for ultrahigh on/off ratio.
Nat Commun
; 7: 12725, 2016 09 02.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27586841
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