Detalles de la búsqueda
1.
Two-dimensional materials prospects for non-volatile spintronic memories.
Nature
; 606(7915): 663-673, 2022 06.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35732761
2.
Significant Oxygen Underestimation When Quantifying Barium-Doped SrTiO Layers by Atom Probe Tomography.
Microsc Microanal
; 30(1): 49-58, 2024 Mar 07.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38232229
3.
Field-Free Spin-Orbit Torque Driven Switching of Perpendicular Magnetic Tunnel Junction through Bending Current.
Nano Lett
; 23(12): 5482-5489, 2023 Jun 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37295781
4.
Key material parameters driving CBRAM device performances.
Faraday Discuss
; 213(0): 67-85, 2019 02 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30346458
5.
Spin-Orbit Torque Vector Quantification in Nanoscale Magnetic Tunnel Junctions.
ACS Nano
; 18(21): 13506-13516, 2024 May 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38748456
6.
Direct Assessment of Defective Regions in Monolayer MoS2 Field-Effect Transistors through In Situ Scanning Probe Microscopy Measurements.
ACS Nano
; 18(15): 10653-10666, 2024 Apr 16.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-38556983
7.
Device modeling of two-steps oxygen anneal-based submicron InGaZnO back-end-of-line field-effect transistor enabling short-channel effects suppression.
Sci Rep
; 12(1): 19380, 2022 Nov 12.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-36371536
8.
Influence of the Chalcogen Element on the Filament Stability in CuIn(Te,Se,S)2/Al2O3 Filamentary Switching Devices.
ACS Appl Mater Interfaces
; 10(17): 14835-14842, 2018 May 02.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-29652471
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