Detalles de la búsqueda
1.
X-ray standing-wave determination of the clean InP(110) surface reconstruction.
Phys Rev Lett
; 68(3): 341-344, 1992 Jan 20.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-10045867
2.
In/Si(111)- sqrt 3 x sqrt 3 interface: An unrelaxed T4 geometry.
Phys Rev Lett
; 71(8): 1204-1207, 1993 Aug 23.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-10055476
3.
Surface extended-x-ray-absorption fine structure and scanning tunneling microscopy of Si(001)2 x 1-Sb.
Phys Rev Lett
; 65(27): 3417-3420, 1990 Dec 31.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-10042866
4.
Si(111) 2 x 1 surface core-level shifts investigated by use of Ge overlayer.
Phys Rev B Condens Matter
; 40(18): 12463-12467, 1989 Dec 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9991881
5.
Alkali-metal-induced interface resonant state on a semiconductor surface.
Phys Rev B Condens Matter
; 40(18): 12570-12573, 1989 Dec 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9991905
6.
Fermi-level pinning on ideally terminated InP(110) surfaces.
Phys Rev B Condens Matter
; 45(7): 3600-3605, 1992 Feb 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-10001940
7.
Erratum: Au-GaAs(110) interface: Photoemission studies of the effects of temperature
Phys Rev B Condens Matter
; 35(11): 5891, 1987 Apr 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9940809
8.
Room-temperature nitridation of gallium arsenide using alkali metal and molecular nitrogen.
Phys Rev B Condens Matter
; 42(6): 3769-3772, 1990 Aug 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9995898
9.
Au-GaAs(110) interface: Photoemission studies of the effects of temperature.
Phys Rev B Condens Matter
; 34(10): 7089-7106, 1986 Nov 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9939362
10.
Binding-energy shifts from alloying at metal-compound-semiconductor interfaces.
Phys Rev B Condens Matter
; 34(2): 669-674, 1986 Jul 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9939672
11.
Photoemission study of interfacial chemistry at metal-InP(110) interfaces with Sb interlayers.
Phys Rev B Condens Matter
; 45(23): 13531-13537, 1992 Jun 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-10001441
12.
Soft-x-ray photoemission study of chemisorption and Fermi-level pinning at the Cs/GaAs(110) and K/GaAs(110) interfaces.
Phys Rev B Condens Matter
; 38(11): 7568-7575, 1988 Oct 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9945484
13.
Surface extended x-ray-absorption fine-structure study of the (1 monolayer Sb)/GaP(110) interface.
Phys Rev B Condens Matter
; 47(11): 6444-6449, 1993 Mar 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-10004610
14.
Surface shifts in the In 4d and P 2p core-level spectra of InP(110).
Phys Rev B Condens Matter
; 36(12): 6543-6546, 1987 Oct 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9942365
15.
Reaction and barrier formation at metal-GaP(110) interfaces.
Phys Rev B Condens Matter
; 41(2): 1076-1089, 1990 Jan 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9993804
16.
Duality in Fermi-level pinning at Cu/InP(110) and Ag/InP(110) interfaces.
Phys Rev B Condens Matter
; 39(15): 11146-11149, 1989 May 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9947932
17.
Metallization and Fermi-level movement at the Cs/GaAs(110) interfaces.
Phys Rev B Condens Matter
; 39(17): 12655-12663, 1989 Jun 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9948134
18.
Evidence for
Phys Rev B Condens Matter
; 53(23): 15571-15576, 1996 Jun 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9983389
19.
Growth, chemical interaction, and Schottky-barrier formation of column-III metal overlayers on InP(110).
Phys Rev B Condens Matter
; 31(10): 6503-6513, 1985 May 15.
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| MEDLINE | ID: mdl-9935530
20.
Interfacial chemistry and Schottky-barrier formation of the Ni/InP(110) and Ni/GaAs(110) interfaces.
Phys Rev B Condens Matter
; 32(6): 3758-3765, 1985 Sep 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9937525