Detalles de la búsqueda
1.
Plasma enhanced atomic layer deposition of silicon nitride using magnetized very high frequency plasma.
Nanotechnology
; 35(27)2024 Apr 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38522102
2.
Atomic layer etching of Sn by surface modification with H and Cl radicals.
Nanotechnology
; 34(3)2022 Nov 04.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36223734
3.
Etch characteristics of magnetic tunnel junction materials using H2/NH3 reactive ion beam.
Nanotechnology
; 32(5): 055301, 2021 Jan 29.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33179607
4.
Atomic layer etching of chrome using ion beams.
Nanotechnology
; 30(8): 085303, 2019 Feb 22.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30523944
5.
Selective isotropic etching of SiO2 over Si3N4 using NF3/H2 remote plasma and methanol vapor.
Sci Rep
; 13(1): 11599, 2023 Jul 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37463965
6.
Selective etching of silicon nitride over silicon oxide using ClF3/H2 remote plasma.
Sci Rep
; 12(1): 5703, 2022 Apr 05.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35383214
7.
Determination of Motivating Factors of Urban Forest Visitors through Latent Dirichlet Allocation Topic Modeling.
Int J Environ Res Public Health
; 18(18)2021 09 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34574577
8.
Reactive ion etching of an ovonic threshold switch (OTS) material using hydrogen-based plasmas for non-volatile phase change memories.
RSC Adv
; 10(59): 36141-36146, 2020 Sep 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35517099
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