Detalles de la búsqueda
1.
SiO2 doped Ge2Sb2Te5 thin films with high thermal efficiency for applications in phase change random access memory.
Nanotechnology
; 22(25): 254005, 2011 Jun 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21572208
2.
Phase error analysis of incoherent triangular holography.
Appl Opt
; 48(34): H231-7, 2009 Dec 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-19956296
3.
Exploring oxygen-affinity-controlled TaN electrodes for thermally advanced TaOx bipolar resistive switching.
Sci Rep
; 8(1): 8532, 2018 Jun 04.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29867108
4.
Roles of conducting filament and non-filament regions in the Ta2O5 and HfO2 resistive switching memory for switching reliability.
Nanoscale
; 9(18): 6010-6019, 2017 May 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28443901
5.
Thickness effect of ultra-thin Ta2O5 resistance switching layer in 28 nm-diameter memory cell.
Sci Rep
; 5: 15965, 2015 Nov 03.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26527044
6.
A size-dependent nanoscale metal-insulator transition in random materials.
Nat Nanotechnol
; 6(4): 237-41, 2011 Apr.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21358647
Resultados
1 -
6
de 6
1
Próxima >
>>