Detalles de la búsqueda
1.
First-Principles Simulation and Materials Screening for Spin-Orbit Torque in 2D van der Waals Heterostructures.
Small
; : e2308965, 2024 May 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38693077
2.
WSe2 Homojunction Devices: Electrostatically Configurable as Diodes, MOSFETs, and Tunnel FETs for Reconfigurable Computing.
Small
; 15(41): e1902770, 2019 Oct.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-31448564
3.
Electrically Tunable Bandgaps in Bilayer MoS2.
Nano Lett
; 15(12): 8000-7, 2015 Dec 09.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-26560813
4.
A tight-binding study of single-atom transistors.
Small
; 11(3): 374-81, 2015 Jan 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25293353
5.
Limits to metallic conduction in atomic-scale quasi-one-dimensional silicon wires.
Phys Rev Lett
; 113(24): 246802, 2014 Dec 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25541793
6.
Spin-lattice relaxation times of single donors and donor clusters in silicon.
Phys Rev Lett
; 113(24): 246406, 2014 Dec 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25541787
7.
Coherent control of a single ²9Si nuclear spin qubit.
Phys Rev Lett
; 113(24): 246801, 2014 Dec 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25541792
8.
Utilizing the unique properties of nanowire MOSFETs for RF applications.
Nano Lett
; 13(4): 1549-54, 2013 Apr 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23464859
9.
Noninvasive spatial metrology of single-atom devices.
Nano Lett
; 13(5): 1903-9, 2013 May 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23570240
10.
Probing scattering mechanisms with symmetric quantum cascade lasers.
Opt Express
; 21(6): 7209-15, 2013 Mar 25.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23546105
11.
Observation of 1D behavior in Si nanowires: toward high-performance TFETs.
Nano Lett
; 12(11): 5571-5, 2012 Nov 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23030672
12.
Indirectly pumped 3.7 THz InGaAs/InAlAs quantum-cascade lasers grown by metal-organic vapor-phase epitaxy.
Opt Express
; 20(18): 20647-58, 2012 Aug 27.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23037112
13.
The polarization response in InAs quantum dots: theoretical correlation between composition and electronic properties.
Nanotechnology
; 23(16): 165202, 2012 Apr 27.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22469563
14.
Stark tuning of the charge states of a two-donor molecule in silicon.
Nanotechnology
; 22(22): 225202, 2011 Jun 03.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21454928
15.
Quantitative excited state spectroscopy of a single InGaAs quantum dot molecule through multi-million-atom electronic structure calculations.
Nanotechnology
; 22(31): 315709, 2011 Aug 05.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21737873
16.
MoS2 for Enhanced Electrical Performance of Ultrathin Copper Films.
ACS Appl Mater Interfaces
; 11(31): 28345-28351, 2019 Aug 07.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31287653
17.
Complementary Black Phosphorus Tunneling Field-Effect Transistors.
ACS Nano
; 13(1): 377-385, 2019 Jan 22.
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| MEDLINE | ID: mdl-30563322
18.
Theoretical study of strain-dependent optical absorption in a doped self-assembled InAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs quantum dot.
Beilstein J Nanotechnol
; 9: 1075-1084, 2018.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-29719758
19.
Low-temperature thermal transport and thermopower of monolayer transition metal dichalcogenide semiconductors.
J Phys Condens Matter
; 29(40): 405701, 2017 Oct 11.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-28862996
20.
Silicon quantum processor with robust long-distance qubit couplings.
Nat Commun
; 8(1): 450, 2017 09 06.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-28878207