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Energy-Efficient III-V Tunnel FET-Based Synaptic Device with Enhanced Charge Trapping Ability Utilizing Both Hot Hole and Hot Electron Injections for Analog Neuromorphic Computing.
ACS Appl Mater Interfaces
; 14(21): 24592-24601, 2022 Jun 01.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-35580309
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