Detalles de la búsqueda
1.
Step-type quantum wells with slightly varied InN composition for GaN-based yellow micro light-emitting diodes.
Appl Opt
; 60(11): 3006-3012, 2021 Apr 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33983194
2.
On the origin for the hole confinement into apertures for GaN-based VCSELs with buried dielectric insulators.
Opt Express
; 28(6): 8668-8679, 2020 Mar 16.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32225487
3.
Enhancing the lateral current injection by modulating the doping type in the p-type hole injection layer for InGaN/GaN vertical cavity surface emitting lasers.
Opt Express
; 28(12): 18035-18048, 2020 Jun 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32680005
4.
On the origin of enhanced hole injection for AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes with AlN insertion layer in p-electron blocking layer.
Opt Express
; 27(12): A620-A628, 2019 Jun 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31252842
5.
Impact of the surface recombination on InGaN/GaN-based blue micro-light emitting diodes.
Opt Express
; 27(12): A643-A653, 2019 Jun 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31252844
6.
Promoted Hole Transport Capability by Improving Lateral Current Spreading for High-Efficiency Quantum Dot Light-Emitting Diodes.
Adv Sci (Weinh)
; 7(23): 2001760, 2020 Dec.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33304749
7.
Alternative Strategy to Reduce Surface Recombination for InGaN/GaN Micro-light-Emitting Diodes-Thinning the Quantum Barriers to Manage the Current Spreading.
Nanoscale Res Lett
; 15(1): 160, 2020 Aug 06.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32761479
8.
Improving the Current Spreading by Locally Modulating the Doping Type in the n-AlGaN Layer for AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes.
Nanoscale Res Lett
; 14(1): 268, 2019 Aug 06.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31388778
9.
Optimization Strategy of 4H-SiC Separated Absorption Charge and Multiplication Avalanche Photodiode Structure for High Ultraviolet Detection Efficiency.
Nanoscale Res Lett
; 14(1): 396, 2019 Dec 30.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31889233
10.
On the p-AlGaN/n-AlGaN/p-AlGaN Current Spreading Layer for AlGaN-based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes.
Nanoscale Res Lett
; 13(1): 355, 2018 Nov 08.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-30411256
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