Detalles de la búsqueda
1.
Low defect large area semi-polar (11[Formula: see text]2) GaN grown on patterned (113) silicon.
Phys Status Solidi B Basic Solid State Phys
; 252(5): 1104-1108, 2015 May.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26212392
2.
X-ray characterization of Ge dots epitaxially grown on nanostructured Si islands on silicon-on-insulator substrates.
J Appl Crystallogr
; 46(Pt 4): 868-873, 2013 Aug 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24046490
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