Detalles de la búsqueda
1.
Third-order nanocircuit elements for neuromorphic engineering.
Nature
; 585(7826): 518-523, 2020 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32968256
2.
Mott neurons with dual thermal dynamics for spatiotemporal computing.
Nat Mater
; 2024 Jun 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38890486
3.
Chaotic dynamics in nanoscale NbO2 Mott memristors for analogue computing.
Nature
; 548(7667): 318-321, 2017 08 17.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28792931
4.
Publisher Correction: Third-order nanocircuit elements for neuromorphic engineering.
Nature
; 592(7853): E9, 2021 Apr.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33758373
5.
Fast Spiking of a Mott VO2-Carbon Nanotube Composite Device.
Nano Lett
; 19(10): 6751-6755, 2019 10 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31433663
6.
Tunable stochastic memristors for energy-efficient encryption and computing.
Nat Commun
; 15(1): 3245, 2024 Apr 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38622148
7.
Picosecond carrier dynamics in InAs and GaAs revealed by ultrafast electron microscopy.
Sci Adv
; 10(20): eadn8980, 2024 May 17.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38748793
8.
True random number generation using the spin crossover in LaCoO3.
Nat Commun
; 15(1): 4656, 2024 May 31.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38821970
9.
ECRAM Materials, Devices, Circuits and Architectures: A Perspective.
Adv Mater
; 35(37): e2204771, 2023 Sep.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36354177
10.
Electro-Thermal Characterization of Dynamical VO2 Memristors via Local Activity Modeling.
Adv Mater
; 35(37): e2205451, 2023 Sep.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36165218
11.
High Thermal Conductivity of Submicrometer Aluminum Nitride Thin Films Sputter-Deposited at Low Temperature.
ACS Nano
; 17(21): 21240-21250, 2023 Nov 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37796248
12.
Universal phase dynamics in VO2 switches revealed by ultrafast operando diffraction.
Science
; 373(6552): 352-355, 2021 07 16.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34437156
13.
Separation of current density and electric field domains caused by nonlinear electronic instabilities.
Nat Commun
; 9(1): 2030, 2018 05 23.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29795115
14.
Physical origins of current and temperature controlled negative differential resistances in NbO2.
Nat Commun
; 8(1): 658, 2017 09 22.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28939848
15.
Spatially uniform resistance switching of low current, high endurance titanium-niobium-oxide memristors.
Nanoscale
; 9(5): 1793-1798, 2017 Feb 02.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27906408
16.
Idiopathic infected hydrocele in a toddler: a case report with review.
ScientificWorldJournal
; 6: 2396-8, 2006 Mar 23.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-17619707
17.
Conduction Channel Formation and Dissolution Due to Oxygen Thermophoresis/Diffusion in Hafnium Oxide Memristors.
ACS Nano
; 10(12): 11205-11210, 2016 12 27.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27957851
18.
Direct Observation of Localized Radial Oxygen Migration in Functioning Tantalum Oxide Memristors.
Adv Mater
; 28(14): 2772-6, 2016 Apr 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26833926
19.
Sequential electronic and structural transitions in VO2 observed using X-ray absorption spectromicroscopy.
Adv Mater
; 26(44): 7505-9, 2014 Nov 26.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25319233
20.
Local temperature redistribution and structural transition during joule-heating-driven conductance switching in VO2.
Adv Mater
; 25(42): 6128-32, 2013 Nov 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23868142
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