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1.
Distinguishing nitrogen-containing sites in SiO2/4H-SiC(0001) after nitric oxide annealing by X-ray absorption spectroscopy.
J Synchrotron Radiat
; 26(Pt 2): 462-466, 2019 Mar 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30855256
2.
Electrical characteristics of Ge-based metal-insulator-semiconductor devices with Ge3N4 dielectrics formed by plasma nitridation.
J Nanosci Nanotechnol
; 11(4): 2856-60, 2011 Apr.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-21776643
3.
First-principles study of the electronic structures and dielectric properties of the Si/SiO(2) interface.
J Phys Condens Matter
; 19(36): 365202, 2007 Sep 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21694148
4.
Insight into unusual impurity absorbability of GeO(2) in GeO(2)∕Ge stacks.
Appl Phys Lett
; 99(14): 142101-1421013, 2011 Oct 03.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-22053111
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