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1.
Temperature Dependence According to Grain Boundary Potential Barrier Variation in Vertical NAND Flash Cell with Polycrystalline-Silicon Channel.
J Nanosci Nanotechnol
; 17(4): 2628-632, 2017 Apr.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29664250
2.
CMOS Based Ovonic Threshold Switching Emulation Circuitry.
J Nanosci Nanotechnol
; 20(8): 4977-4979, 2020 08 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32126684
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