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1.
Nonvolatile Memory (NVM) Operation of Tunnel Field-Effect Transistor (TFET) Using Ferroelectric HfO2 Sidewall.
J Nanosci Nanotechnol
; 19(10): 6061-6065, 2019 Oct 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31026908
2.
Volatile and Nonvolatile Characteristics of Asymmetric Dual-Gate Thyristor RAM with Vertical Structure.
J Nanosci Nanotechnol
; 18(9): 5882-5886, 2018 09 01.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-29677710
3.
Clinical outcomes and considerations of the lumbar interbody fusion technique for lumbar disk disease in adolescents.
Childs Nerv Syst
; 29(8): 1339-44, 2013 Aug.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-23545596
4.
Split-gate-structure 1T DRAM for retention characteristic improvement.
J Nanosci Nanotechnol
; 11(7): 5603-7, 2011 Jul.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-22121577
5.
Self-Boosted Tunnel Field-Effect Transistor Using Nitride Charge Trapping Layer for Low Supply Voltage Operation.
J Nanosci Nanotechnol
; 16(5): 5243-6, 2016 May.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-27483907
6.
Electrical Characteristics of Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor with High-κ/Metal Gate Using Oxygen Scavenging Process.
J Nanosci Nanotechnol
; 16(5): 4897-900, 2016 May.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-27483842
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