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1.
Relation of Dielectric Constants and Chemical Structures of Low Dielectric Constant SiCOH Films Deposited by Using Octamethylcyclotetrasiloxane and Tetraethylorthosilicate Precursors.
J Nanosci Nanotechnol
; 19(10): 6271-6276, 2019 Oct 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31026947
2.
Effects of He/H2 Plasma Treatment on Properties of SiCOH Films Deposited with the 1,1,1,3,5,7,7,7- Octamethyl-3,5-Bis(Trimethylsiloxy) Tetrasiloxane Precursor.
J Nanosci Nanotechnol
; 20(11): 6706-6712, 2020 11 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32604502
3.
Low-k SiCOH Films Deposited with a Single Precursor 1,1,1,3,5,7,7,7 Octamethyl-3,5-Bis(trimethylsiloxy) Tetrasiloxane by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition.
J Nanosci Nanotechnol
; 20(4): 2301-2307, 2020 Apr 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31492240
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