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1.
Improved subthreshold swing of MoS2 negative-capacitance transistor by fluorine-plasma treatment on ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 gate dielectric.
Nanotechnology
; 32(19): 195202, 2021 May 07.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33508814
2.
Optimizing Al-doped ZrO2 as the gate dielectric for MoS2 field-effect transistors.
Nanotechnology
; 31(13): 135206, 2020 Mar 27.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31766028
3.
Damage-free mica/MoS2 interface for high-performance multilayer MoS2 field-effect transistors.
Nanotechnology
; 30(34): 345204, 2019 Aug 23.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31067521
4.
Effects of HfO2 encapsulation on electrical performances of few-layered MoS2 transistor with ALD HfO2 as back-gate dielectric.
Nanotechnology
; 29(34): 345201, 2018 Aug 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29808825
5.
Design of superparamagnetic nanoparticles for magnetic particle imaging (MPI).
Int J Mol Sci
; 14(9): 18682-710, 2013 Sep 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24030719
6.
Low-Temperature-Processed High-Performance Pentacene OTFTs with Optimal Nd-Ti Oxynitride Mixture as Gate Dielectric.
Materials (Basel)
; 15(6)2022 Mar 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35329704
7.
In vivo neuronal and astrocytic activation in somatosensory cortex by acupuncture stimuli.
Neural Regen Res
; 17(11): 2526-2529, 2022 Nov.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-35535906
8.
Ultrathin Sn-doped Ga2O3 for power field-effect transistors: Si-compatible 4-inch array with high-k gate dielectric.
Sci Bull (Beijing)
; 69(12): 1848-1851, 2024 Jun 30.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-38782660
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