Detalles de la búsqueda
1.
Self-Forming p-n Junction Diode Realized with WSe2 Surface and Edge Dual Contacts.
Small
; 18(46): e2204547, 2022 Nov.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36216594
2.
High-performance ambipolar MoS2transistor enabled by indium edge contacts.
Nanotechnology
; 32(21)2021 Mar 02.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33556924
3.
Doping-Free High-Performance Photovoltaic Effect in a WSe2 Lateral p-n Homojunction Formed by Contact Engineering.
ACS Appl Mater Interfaces
; 15(29): 35342-35349, 2023 Jul 26.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37442799
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