Detalles de la búsqueda
1.
Dopant Engineering of Hafnia-Based Ferroelectrics for Long Data Retention and High Thermal Stability.
Small
; 20(13): e2306871, 2024 Mar.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37967323
2.
Demonstration of the threshold-switching memory devices using EMIm(AlCl3)Cl and ZnO for neuromorphic applications.
Nanotechnology
; 35(1)2023 Oct 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37830748
3.
Voltage-Tunable Ultra-Steep Slope Atomic Switch with Selectivity over 1010.
Small
; 17(29): e2100401, 2021 Jul.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34106519
4.
Ferroelectric Analog Synaptic Transistors.
Nano Lett
; 19(3): 2044-2050, 2019 03 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30698976
5.
Flexible resistive switching memory with a Ni/CuO x /Ni structure using an electrochemical deposition process.
Nanotechnology
; 27(12): 125203, 2016 Mar 29.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26889689
6.
All-solution-processed nonvolatile flexible nano-floating gate memory devices.
Nanotechnology
; 25(1): 014016, 2014 Jan 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24334758
7.
Unlocking large memory windows and 16-level data per cell memory operations in hafnia-based ferroelectric transistors.
Sci Adv
; 10(23): eadn1345, 2024 Jun 07.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38848373
8.
Ferroelectric Transistors for Memory and Neuromorphic Device Applications.
Adv Mater
; 35(22): e2206864, 2023 Jun.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36484488
9.
Highly-scaled and fully-integrated 3-dimensional ferroelectric transistor array for hardware implementation of neural networks.
Nat Commun
; 14(1): 504, 2023 Jan 31.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36720868
10.
Defect Engineering of Hafnia-Based Ferroelectric Materials for High-Endurance Memory Applications.
ACS Omega
; 8(20): 18180-18185, 2023 May 23.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37251138
11.
Inorganic Perovskite Quantum Dot-Mediated Photonic Multimodal Synapse.
ACS Appl Mater Interfaces
; 15(14): 18055-18064, 2023 Apr 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37000192
12.
Recent Advances and Future Prospects for Memristive Materials, Devices, and Systems.
ACS Nano
; 17(13): 11994-12039, 2023 Jul 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37382380
13.
Size effects on the stabilization and growth of tetragonal ZrO2 crystallites in a nanotubular structure.
J Nanosci Nanotechnol
; 12(4): 3177-80, 2012 Apr.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22849083
14.
Memory effect of low-temperature processed ZnO thin-film transistors having metallic nanoparticles as charge trapping elements.
J Nanosci Nanotechnol
; 12(2): 1344-7, 2012 Feb.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22629953
15.
High performance flexible organic thin film transistors (OTFTs) with octadecyltrichlorsilane/ Al2O3/poly(4-vinylphenol) multilayer insulators.
J Nanosci Nanotechnol
; 12(2): 1348-52, 2012 Feb.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22629954
16.
Metal Halide Perovskite-Based Memristors for Emerging Memory Applications.
J Phys Chem Lett
; 13(24): 5638-5647, 2022 Jun 23.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35708321
17.
Controlling the Grain Size of Dion-Jacobson-Phase Two-Dimensional Layered Perovskite for Memory Application.
ACS Appl Mater Interfaces
; 14(3): 4371-4377, 2022 Jan 26.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35014262
18.
Emulating the Signal Transmission in a Neural System Using Polymer Membranes.
ACS Appl Mater Interfaces
; 14(37): 42308-42316, 2022 Sep 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36069456
19.
CMOS-compatible compute-in-memory accelerators based on integrated ferroelectric synaptic arrays for convolution neural networks.
Sci Adv
; 8(14): eabm8537, 2022 Apr 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35394830
20.
Flexible organic transistor memory devices.
Nano Lett
; 10(8): 2884-90, 2010 Aug 11.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-20578683