Detalles de la búsqueda
1.
Diode-less bilayer oxide (WO(x)-NbO(x)) device for cross-point resistive memory applications.
Nanotechnology
; 22(47): 475702, 2011 Nov 25.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22056387
2.
An electrically modifiable synapse array of resistive switching memory.
Nanotechnology
; 20(34): 345201, 2009 Aug 26.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-19652272
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