Detalles de la búsqueda
1.
Tunnel Field Effect Transistor with Ferroelectric Gate Insulator.
J Nanosci Nanotechnol
; 19(10): 6095-6098, 2019 Oct 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31026915
2.
Partial Contact Etching and Gate Lowering on Tunneling Field Effect Transistor for Performance and Power Enhancement.
J Nanosci Nanotechnol
; 19(10): 6808-6811, 2019 Oct 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31027034
3.
Volatile and Nonvolatile Characteristics of Asymmetric Dual-Gate Thyristor RAM with Vertical Structure.
J Nanosci Nanotechnol
; 18(9): 5882-5886, 2018 09 01.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-29677710
4.
A Simulation Study on Reducing the Grain Boundary Position Dependency in Tunneling Thin-Film Transistors Using a Wide Tunneling Area.
J Nanosci Nanotechnol
; 20(11): 6627-6631, 2020 Nov 01.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-32604486
5.
I-Shaped SiGe Fin Tunnel Field-Effect Transistor with High ION/IOFF Ratio.
J Nanosci Nanotechnol
; 20(7): 4298-4302, 2020 Jul 01.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-31968461
6.
Electrical Characteristics of Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor with High-κ/Metal Gate Using Oxygen Scavenging Process.
J Nanosci Nanotechnol
; 16(5): 4897-900, 2016 May.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-27483842
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