Detalles de la búsqueda
1.
Ultralow-dielectric-constant amorphous boron nitride.
Nature
; 582(7813): 511-514, 2020 06.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32581381
2.
Reply to: On the measured dielectric constant of amorphous boron nitride.
Nature
; 590(7844): E8-E10, 2021 02.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33536645
3.
Vertical MoS2 Double-Layer Memristor with Electrochemical Metallization as an Atomic-Scale Synapse with Switching Thresholds Approaching 100 mV.
Nano Lett
; 19(4): 2411-2417, 2019 04 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30896171
4.
Two-Dimensional Materials Inserted at the Metal/Semiconductor Interface: Attractive Candidates for Semiconductor Device Contacts.
Nano Lett
; 18(8): 4878-4884, 2018 08 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30036065
5.
Ultraclean Interface of Metal Chalcogenides with Metal through Confined Interfacial Chalcogenization.
Adv Mater
; 36(15): e2310282, 2024 Apr.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38190458
6.
Single-step formation of a graphene-metal hybrid transparent and electrically conductive film.
Nanotechnology
; 23(11): 115301, 2012 Mar 23.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22383433
7.
Theoretical and experimental study of nanopore drilling by a focused electron beam in transmission electron microscopy.
Nanotechnology
; 22(27): 275303, 2011 Jul 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21597159
8.
Sub-10-nm nanochannels by self-sealing and self-limiting atomic layer deposition.
Nano Lett
; 10(9): 3324-9, 2010 Sep 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-20687522
9.
An Atomically Thin Optoelectronic Machine Vision Processor.
Adv Mater
; 32(36): e2002431, 2020 Sep.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32700395
10.
High-Throughput Growth of Wafer-Scale Monolayer Transition Metal Dichalcogenide via Vertical Ostwald Ripening.
Adv Mater
; 32(42): e2003542, 2020 Oct.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32935911
11.
Postoperative negative pressure pulmonary edema following repetitive laryngospasm even after reversal of neuromuscular blockade by sugammadex: a case report.
Korean J Anesthesiol
; 70(1): 95-99, 2017 Feb.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28184275
12.
Mesostructured HfxAlyO2 Thin Films as Reliable and Robust Gate Dielectrics with Tunable Dielectric Constants for High-Performance Graphene-Based Transistors.
ACS Nano
; 10(7): 6659-66, 2016 07 26.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27355098
13.
Thickness scaling of atomic-layer-deposited HfO2 films and their application to wafer-scale graphene tunnelling transistors.
Sci Rep
; 6: 20907, 2016 Feb 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26861833
14.
A Mask-Free Passivation Process for Low Noise Nanopore Devices.
J Nanosci Nanotechnol
; 15(8): 5971-7, 2015 Aug.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26369183
15.
A low-noise solid-state nanopore platform based on a highly insulating substrate.
Sci Rep
; 4: 7448, 2014 Dec 12.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-25502421
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