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1.
Defect engineering: reduction effect of hydrogen atom impurities in HfO2-based resistive-switching memory devices.
Nanotechnology
; 23(32): 325702, 2012 Aug 17.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22825561
2.
An electrically modifiable synapse array of resistive switching memory.
Nanotechnology
; 20(34): 345201, 2009 Aug 26.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-19652272
3.
High current density and nonlinearity combination of selection device based on TaO(x)/TiO2/TaO(x) structure for one selector-one resistor arrays.
ACS Nano
; 6(9): 8166-72, 2012 Sep 25.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22928469
4.
Synthesis of poly(sorbitan methacrylate) hydrogel by free-radical polymerization.
Appl Biochem Biotechnol
; 137-140(1-12): 935-46, 2007 Apr.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-18478446
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