Detalles de la búsqueda
1.
Stoichiometry modulates the optoelectronic functionality of zinc phosphide (Zn3-xP2+x).
Faraday Discuss
; 239(0): 202-218, 2022 Oct 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36305553
2.
Raman spectroscopy and lattice dynamics calculations of tetragonally-structured single crystal zinc phosphide (Zn3P2) nanowires.
Nanotechnology
; 32(8): 085704, 2021 Feb 19.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33171447
3.
Raman tensor of zinc-phosphide (Zn3P2): from polarization measurements to simulation of Raman spectra.
Phys Chem Chem Phys
; 24(1): 63-72, 2021 Dec 22.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34851345
4.
Bistability of Contact Angle and Its Role in Achieving Quantum-Thin Self-Assisted GaAs nanowires.
Nano Lett
; 18(1): 49-57, 2018 01 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29257895
5.
Molecular beam epitaxy of InAs nanowires in SiO2 nanotube templates: challenges and prospects for integration of III-Vs on Si.
Nanotechnology
; 27(45): 455601, 2016 Nov 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27698287
6.
Nanoscale Growth Initiation as a Pathway to Improve the Earth-Abundant Absorber Zinc Phosphide.
ACS Appl Energy Mater
; 5(5): 5298-5306, 2022 May 23.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35647493
7.
Nanoscale Mapping of Light Emission in Nanospade-Based InGaAs Quantum Wells Integrated on Si(100): Implications for Dual Light-Emitting Devices.
ACS Appl Nano Mater
; 5(4): 5508-5515, 2022 Apr 22.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-35492438
8.
Showcasing the optical properties of monocrystalline zinc phosphide thin films as an earth-abundant photovoltaic absorber.
Mater Adv
; 3(2): 1295-1303, 2022 Jan 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35178521
9.
GaAs nanowires on Si nanopillars: towards large scale, phase-engineered arrays.
Nanoscale Horiz
; 7(2): 211-219, 2022 Jan 31.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35040457
10.
Towards defect-free thin films of the earth-abundant absorber zinc phosphide by nanopatterning.
Nanoscale Adv
; 3(2): 326-332, 2021 Jan 26.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-36131749
11.
Rotated domains in selective area epitaxy grown Zn3P2: formation mechanism and functionality.
Nanoscale
; 13(44): 18441-18450, 2021 Nov 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34751695
12.
Heterotwin Zn3P2 superlattice nanowires: the role of indium insertion in the superlattice formation mechanism and their optical properties.
Nanoscale
; 12(44): 22534-22540, 2020 Nov 19.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-33090166
13.
III-V Integration on Si(100): Vertical Nanospades.
ACS Nano
; 13(5): 5833-5840, 2019 May 28.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-31038924
14.
Optimizing the yield of A-polar GaAs nanowires to achieve defect-free zinc blende structure and enhanced optical functionality.
Nanoscale
; 10(36): 17080-17091, 2018 Sep 20.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-30179246
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