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1.
In situx-ray photoelectron spectroscopy analysis of the atomic layer deposition of Al2O3on SiOx/Si: Interface dipole and persistent surface groups.
Nanotechnology
; 34(24)2023 Mar 30.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36917851
2.
Ultra-thin gate insulator of atomic-layer-deposited AlOxand HfOxfor amorphous InGaZnO thin-film transistors.
Nanotechnology
; 34(26)2023 Apr 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36962937
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