Detalles de la búsqueda
1.
Effect of High-Pressure GaN Nucleation Layer on the Performance of AlGaN/GaN HEMTs on Si Substrate.
Materials (Basel)
; 16(9)2023 Apr 26.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37176258
2.
Vertical GaN MOSFET Power Devices.
Micromachines (Basel)
; 14(10)2023 Oct 16.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37893374
3.
Thermal Analysis of Flip-Chip Bonding Designs for GaN Power HEMTs with an On-Chip Heat-Spreading Layer.
Micromachines (Basel)
; 14(3)2023 Feb 23.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36984926
4.
Buffer Traps Effect on GaN-on-Si High-Electron-Mobility Transistor at Different Substrate Voltages.
Micromachines (Basel)
; 13(12)2022 Dec 03.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36557439
5.
Characterization of 5-HT transporter and receptor system in HeLaS3 cells by [(3)H]8-OH-DPAT and other serotonergic ligands.
Arch Biochem Biophys
; 506(1): 66-72, 2011 Feb 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21056540
6.
The Evolution of Manufacturing Technology for GaN Electronic Devices.
Micromachines (Basel)
; 12(7)2021 Jun 23.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34201620
7.
Development of GaN HEMTs Fabricated on Silicon, Silicon-on-Insulator, and Engineered Substrates and the Heterogeneous Integration.
Micromachines (Basel)
; 12(10)2021 Sep 27.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34683210
8.
Discovery and characterization of [3H]8-OH-DPAT binding to HeLaS3 cells.
Arch Biochem Biophys
; 495(1): 14-20, 2010 Mar 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-20018167
9.
Validation of a [3H]astemizole binding assay in HEK293 cells expressing HERG K+ channels.
J Pharmacol Sci
; 95(3): 311-9, 2004 Jul.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-15272206
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