Detalles de la búsqueda
1.
The study of bending properties of monolayer MoS2 in non-collinear electrodes using first principles theory.
Phys Chem Chem Phys
; 22(38): 21888-21892, 2020 Oct 07.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32968749
2.
Integrating ultraviolet sensing and memory functions in gallium nitride-based optoelectronic devices.
Nanoscale Horiz
; 9(7): 1166-1174, 2024 Jun 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38668875
3.
Computational-fitting method for mobility extraction in GaN HEMT.
RSC Adv
; 13(46): 32694-32698, 2023 Oct 31.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37942456
4.
1.3 kV Vertical GaN-Based Trench MOSFETs on 4-Inch Free Standing GaN Wafer.
Nanoscale Res Lett
; 17(1): 14, 2022 Jan 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35032235
5.
Impact of random dopant fluctuation effect on surrounding gate MOSFETs: from atomic level simulation to circuit performance evaluation.
J Nanosci Nanotechnol
; 11(12): 10429-32, 2011 Dec.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22408920
6.
Robust Simulations of Nanoscale Phase Change Memory: Dynamics and Retention.
Nanomaterials (Basel)
; 11(11)2021 Nov 03.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34835708
7.
Supercritical Ammoniation-Enabled Interfacial Polarization for Function-Mode Transformation and Overall Optimization of Thin-Film Transistors.
ACS Appl Mater Interfaces
; 13(33): 40053-40061, 2021 Aug 25.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34392676
8.
Achieving complementary resistive switching and multi-bit storage goals by modulating the dual-ion reaction through supercritical fluid-assisted ammoniation.
Nanoscale
; 13(33): 14035-14040, 2021 Sep 07.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34477684
9.
Bifunctional homologous alkali-metal artificial synapse with regenerative ability and mechanism imitation of voltage-gated ion channels.
Mater Horiz
; 8(11): 3072-3081, 2021 Nov 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34724525
10.
Low-temperature supercritical dehydroxylation for achieving an ultra-low subthreshold swing of thin-film transistors.
Nanoscale
; 13(11): 5700-5705, 2021 Mar 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33565548
11.
Numerical study on heterodyne terahertz detection in field effect transistor.
Opt Express
; 18(8): 7782-9, 2010 Apr 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-20588619
12.
Unveiling the influence of surrounding materials and realization of multi-level storage in resistive switching memory.
Nanoscale
; 12(43): 22070-22074, 2020 Nov 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33030167
13.
Variable-temperature activation energy extraction to clarify the physical and chemical mechanisms of the resistive switching process.
Nanoscale
; 12(29): 15721-15724, 2020 Jul 30.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32677652
14.
An indirect way to achieve comprehensive performance improvement of resistive memory: when hafnium meets ITO in an electrode.
Nanoscale
; 12(5): 3267-3272, 2020 Feb 07.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31971203
15.
Hafnium nanocrystals observed in a HfTiO compound film bring about excellent performance of flexible selectors in memory integration.
Nanoscale
; 11(43): 20792-20796, 2019 Nov 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31657422
16.
Black Phosphorus Quantum Dots for Hole Extraction of Typical Planar Hybrid Perovskite Solar Cells.
J Phys Chem Lett
; 8(3): 591-598, 2017 Feb 02.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28084740
Resultados
1 -
16
de 16
1
Próxima >
>>