Detalles de la búsqueda
1.
All-solid-state pulsed current injection source based on the light initiated multi-gate semiconductor switches.
Rev Sci Instrum
; 93(1): 014705, 2022 Jan 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35104965
2.
Study of a Si-based light initiated multi-gate semiconductor switch for high temperatures.
Sci Rep
; 12(1): 15508, 2022 Sep 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36109579
3.
All solid-state electromagnetic pulse simulator based on the 4H-SiC photoconductive semiconductor switch.
Rev Sci Instrum
; 91(1): 014701, 2020 Jan 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32012595
4.
Strain-tunable magnetic anisotropy in two-dimensional Dirac half-metals: nickel trihalides.
RSC Adv
; 9(61): 35614-35623, 2019 Oct 31.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35528104
5.
Tunable valley splitting and an anomalous valley Hall effect in hole-doped WS2 by proximity coupling with a ferromagnetic MnO2 monolayer.
Nanoscale
; 11(28): 13567-13575, 2019 Jul 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31290895
6.
Effect of Polarization Coulomb Field Scattering on Electrical Properties of the 70-nm Gate-Length AlGaN/GaN HEMTs.
Sci Rep
; 8(1): 12850, 2018 Aug 27.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30150625
7.
Effect of Different Gate Lengths on Polarization Coulomb Field Scattering Potential in AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors.
Sci Rep
; 8(1): 9036, 2018 Jun 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29899499
8.
Influence of the ratio of gate length to drain-to-source distance on the electron mobility in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors.
Nanoscale Res Lett
; 7(1): 434, 2012 Aug 03.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22856465
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