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1.
Carrier transport and emission efficiency in InGaN quantum-dot based light-emitting diodes.
Nanotechnology
; 28(27): 275201, 2017 Jul 07.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28612754
2.
Influence of electromechanical coupling on optical properties of InGaN quantum-dot based light-emitting diodes.
Nanotechnology
; 28(1): 015701, 2017 Jan 06.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27897139
3.
AlGaN HEMT Structures Grown on Miscut Si(111) Wafers.
Materials (Basel)
; 16(12)2023 Jun 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37374449
4.
Scattering Analysis of AlGaN/AlN/GaN Heterostructures with Fe-Doped GaN Buffer.
Materials (Basel)
; 15(24)2022 Dec 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36556750
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