Detalles de la búsqueda
1.
Modulating the filament rupture degree of threshold switching device for self-selective and low-current nonvolatile memory application.
Nanotechnology
; 31(14): 144002, 2020 Apr 03.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31860888
2.
Negative differential resistance effect induced by metal ion implantation in SiO2 film for multilevel RRAM application.
Nanotechnology
; 29(5): 054001, 2018 Feb 02.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29219843
3.
Resistive Switching Performance Improvement via Modulating Nanoscale Conductive Filament, Involving the Application of Two-Dimensional Layered Materials.
Small
; 13(35)2017 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28417548
4.
Confining Cation Injection to Enhance CBRAM Performance by Nanopore Graphene Layer.
Small
; 13(35)2017 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28234422
5.
Probabilistic Circuit Implementation Based on P-Bits Using the Intrinsic Random Property of RRAM and P-Bit Multiplexing Strategy.
Micromachines (Basel)
; 13(6)2022 Jun 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35744538
6.
Improvement of resistive switching characteristics in ZrO2 film by embedding a thin TiOx layer.
Nanotechnology
; 22(25): 254028, 2011 Jun 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21572216
7.
A 1T2C FeCAP-Based In-Situ Bitwise X(N)OR Logic Operation with Two-Step Write-Back Circuit for Accelerating Compute-In-Memory.
Micromachines (Basel)
; 12(4)2021 Apr 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33916297
8.
Sensing Circuit Design Techniques for RRAM in Advanced CMOS Technology Nodes.
Micromachines (Basel)
; 12(8)2021 Jul 30.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34442535
9.
Evolution of the conductive filament system in HfO2-based memristors observed by direct atomic-scale imaging.
Nat Commun
; 12(1): 7232, 2021 Dec 13.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-34903752
10.
Proton-based total-dose irradiation effects on Cu/HfO2:Cu/Pt ReRAM devices.
Nanotechnology
; 21(47): 475206, 2010 Nov 26.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21030760
11.
Oxide-Based Electrolyte-Gated Transistors for Spatiotemporal Information Processing.
Adv Mater
; 32(47): e2003018, 2020 Nov.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33079425
12.
Microscopic Mechanism of Carbon-Dopant Manipulating Device Performance in CGeSbTe-Based Phase Change Random Access Memory.
ACS Appl Mater Interfaces
; 12(20): 23051-23059, 2020 May 20.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32340441
13.
A highly CMOS compatible hafnia-based ferroelectric diode.
Nat Commun
; 11(1): 1391, 2020 Mar 13.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-32170177
14.
Suppression of Filament Overgrowth in Conductive Bridge Random Access Memory by Ta2O5/TaOx Bi-Layer Structure.
Nanoscale Res Lett
; 14(1): 111, 2019 Mar 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30923974
15.
Breaking the Current-Retention Dilemma in Cation-Based Resistive Switching Devices Utilizing Graphene with Controlled Defects.
Adv Mater
; 30(14): e1705193, 2018 Apr.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29436065
16.
Electronic imitation of behavioral and psychological synaptic activities using TiOx/Al2O3-based memristor devices.
Nanoscale
; 9(38): 14442-14450, 2017 Oct 05.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28926076
17.
Variability Improvement of TiO x /Al2O3 Bilayer Nonvolatile Resistive Switching Devices by Interfacial Band Engineering with an Ultrathin Al2O3 Dielectric Material.
ACS Omega
; 2(10): 6888-6895, 2017 Oct 31.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-31457275
18.
Investigation on the Conductive Filament Growth Dynamics in Resistive Switching Memory via a Universal Monte Carlo Simulator.
Sci Rep
; 7(1): 11204, 2017 09 11.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-28894146
19.
Self-Rectifying Resistive Switching Memory with Ultralow Switching Current in Pt/Ta2O5/HfO2-x /Hf Stack.
Nanoscale Res Lett
; 12(1): 118, 2017 Dec.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-28228004
20.
Intrinsic anionic rearrangement by extrinsic control: transition of RS and CRS in thermally elevated TiN/HfO2/Pt RRAM.
Nanoscale
; 9(47): 18908-18917, 2017 Dec 07.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-29177343